新加坡國立大學(xué)蘇州研究院于2013年10月22日下午舉辦”基于Si/GaAs/GaN 等半導(dǎo)體材料的射頻器件建模、設(shè)計與生產(chǎn)制造研討會 (2013 Workshop on Si/GaAs/GaN RF Device Modeling, Design & Fabrication)。”

研討會由新加坡國立大學(xué)蘇州研究院(NUSRI)主辦，美國電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)南京AP/MTT/EMC聯(lián)合技術(shù)委員會分會(Joint Chapter)協(xié)辦。研討會匯聚了業(yè)內(nèi)權(quán)威的專家、企業(yè)家、學(xué)者、教授、企業(yè)高級技術(shù)和管理人才，其中包括林福江、薛洪喜、楊士寧、張乃千、周梅生等5位中組部“千人計劃”專家。

先進微電子器件發(fā)展迅速，影響生活方方面面。第三代電子器件材料（GaN，SiC，Diamond）的應(yīng)用極其廣泛，除了通信，軍用和雷達(dá)外，未來固態(tài)燈、LEP，汽車電子、能源管理乃至醫(yī)學(xué)等都將開始新的一波“第三代電子器件技術(shù)”。第三代電子器件可能也是解決太赫茲、太比特未來網(wǎng)高速互連瓶頸問題的最有效技術(shù)。

研討會由會議發(fā)起人兼大會主席郭永新博士致開幕詞，隨后演講嘉賓們圍繞半導(dǎo)體、微電子以及微波射頻這三個領(lǐng)域進行了演講。研討會討論方向涵蓋了中國重大專項最新研究計劃、器件建模、產(chǎn)學(xué)研結(jié)合、測試技術(shù)、關(guān)鍵難題等內(nèi)容。嘉賓們對基于GaAs、GaN、Si等半導(dǎo)體材料射頻器件的建模設(shè)計和生產(chǎn)制造技術(shù)分享了前瞻的見解及精彩的闡述。

此次研討會秉持開放，高水準(zhǔn)的原則，受到了行業(yè)內(nèi)相關(guān)科研人員以及專家學(xué)者的積極響應(yīng)，研討會注冊人數(shù)91人。參會嘉賓來自知名高校，企業(yè)和科研院所，如南京理工大學(xué)，東南大學(xué)，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)，上海交大，浙江大學(xué)，蘇州大學(xué)，杭州電子科技大學(xué)，南京十四所，南京五十五所，上海航天802所等，其中具有博士研究生學(xué)歷的占47%，碩士研究生學(xué)歷的占41%。嘉賓之間進行了積極的交流，探討和分享了彼此的觀點與看法。

研討會上，新國大蘇研院聘請楊世寧、林福江、張乃千和周梅生四位千人專家作為我院先進微電子器件中心的客座首席研究員，希望能夠攜手共進，為行業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

（作者：趙爍礫）